一般來說,LED外延生產(chǎn)完成之后她的主要電性能已定型,LED芯片制造不對其產(chǎn)甞核本性改變,但在鍍膜、合金化過程中不恰當?shù)臈l件會造成一些電參數(shù)的不良。
比如說合金化溫度偏低或偏高都會造成歐姆接觸不良,LED外延片批發(fā)廠家,歐姆接觸不良是芯片制造中造成正向壓降VF偏高的主要原因。
在切割后,如果對芯片邊緣進行一些腐蝕工藝,LED外延片廠家供應(yīng),對改善芯片的反向漏電會有較好的幫助。
這是因為用金剛石砂輪刀片切割后,芯片邊緣會殘留較多的碎屑粉末,這些如果粘在LED芯片的PN結(jié)處就會造成漏電,LED外延片批發(fā),甚至會有擊穿現(xiàn)象。
另外,如果芯片表面光刻膠剝離不干凈,將會造成正面焊線難與虛焊等情況。
如果是背面也會造成壓降偏高。在芯片生產(chǎn)過程中通過表面粗化、劃成倒梯形結(jié)構(gòu)等辦法可以提高光強。
LED芯片的分類有哪些呢?
MB芯片定義與特點
定義:Metal Bonding(金屬粘著)芯片;該芯片屬于UEC的專i利產(chǎn)品。
特點:
(1)采用高散熱系數(shù)的材料---Si作為襯底,散熱容易。Thermal Conductivity;GaAs:46W/m-K;GaP:77W/m-K;Si:125~150W/m-K;Cupper:300~400W/m-k;SiC:490W/m-K。
(2)通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底,同時反射光子,避免襯底的吸收。
(3)導電的Si襯底取代GaAs襯底,具備良好的熱傳導能力(導熱系數(shù)相差3~4倍),更適應(yīng)于高驅(qū)動電流領(lǐng)域。
(4)底部金屬反射層,有利于光度的提升及散熱。
(5)尺寸可加大,杭州LED外延片,應(yīng)用于High power領(lǐng)域,eg:42mil MB。
電極加工也是制作LED芯片的關(guān)鍵工序,包括清洗、蒸鍍、黃光、化學蝕刻、熔合、研磨;然后對襯底進行劃片、測試和分選,就可以得到所需的LED芯片。
如果晶片清洗不夠干凈,蒸鍍系統(tǒng)不正常,會導致蒸鍍出來的金屬層(指蝕刻后的電極)會有脫落,金屬層外觀變色,金泡等異常。
蒸鍍過程中有時需用彈簧夾固定晶片,因此會產(chǎn)生夾痕(在目檢必須挑除)。黃光作業(yè)內(nèi)容包括烘烤、上光阻、照相曝光、顯影等,若顯影不完全及光罩有破洞會有發(fā)光區(qū)殘多出金屬。晶片在前段制程中,各項制程如清洗、蒸鍍、黃光、化學蝕刻、熔合、研磨等作業(yè)都必須使用鑷子及花籃、載具等,因此會有晶粒電極刮傷情形發(fā)生。
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