隨著半導(dǎo)體LED技術(shù)的發(fā)展,其在照明領(lǐng)域的應(yīng)用也越來(lái)越多,特別是白光LED的出現(xiàn),更是成為半導(dǎo)體照明的熱點(diǎn)。
但是關(guān)鍵的芯片、封裝技術(shù)還有待提高,LED外延片廠家,在芯片方面要朝大功率、高光效和降低熱阻方面發(fā)展。
提高功率意味著芯片的使用電流加大,較為直接的辦法是加大芯片尺寸,現(xiàn)在普遍出現(xiàn)的大功率芯片都在1mm×1mm左右,使用電流在350mA.由于使用電流的加大,LED外延片供應(yīng)商,散熱問(wèn)題成為突出問(wèn)題,現(xiàn)在通過(guò)芯片倒裝的方法基本解決了這一文題。
隨著LED技術(shù)的發(fā)展,其在照明領(lǐng)域的應(yīng)用會(huì)面臨一個(gè)從未有的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。
LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極,并能滿足可接觸材料之間較為小的壓降及提供焊線的壓墊,同時(shí)盡可能的多地出光。
渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法,4Pa高真空下,LED外延片,用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化,并在低氣壓下BZX79C18變成金屬蒸氣沉積在半導(dǎo)體材料表面。
一般所用的P型接觸金屬包括AuBe、AuZn等合金,N面的接觸金屬常采用AuGeNi合金。
鍍膜后形成的合金層還需要通過(guò)光刻工藝將發(fā)光區(qū)盡可能多地露出來(lái),使留下來(lái)的合金層能滿足有效可靠的低歐姆接觸電極及焊線壓墊的要求。
光刻工序結(jié)束后還要通過(guò)合金化過(guò)程,合金化通常是在H2或N2的保護(hù)下進(jìn)行。
合金化的時(shí)間和溫度通常是根據(jù)半導(dǎo)體材料特性與合金爐形式等因素決定。
當(dāng)然若是藍(lán)綠等芯片電極工藝還要復(fù)雜,需增加鈍化膜生長(zhǎng)、等離子刻蝕工藝等。
1. 供過(guò)于求狀態(tài)或?qū)⒊掷m(xù)
經(jīng)LED芯片行業(yè)大洗牌,海外企業(yè)與國(guó)內(nèi)二三線芯片廠商產(chǎn)能逐步收縮,國(guó)內(nèi)大廠將依靠資金、技術(shù)、規(guī)模優(yōu)勢(shì)繼續(xù)大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)高i端產(chǎn)能,LED芯片產(chǎn)能逐步釋放,若無(wú)明顯的需求爆發(fā)拉動(dòng),供過(guò)于求狀態(tài)或?qū)⒊掷m(xù)。
2. 優(yōu)化傳統(tǒng)LED芯片業(yè)務(wù)
對(duì)于傳統(tǒng)通用照明產(chǎn)品毛利率的降低,各家企業(yè)將持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品性能、提升可靠性和良率等,以降成本為目標(biāo)。此外,高附加值、高毛利產(chǎn)品比重將提升。
3. 企業(yè)走差異化路線
各大企業(yè)將尋找新增長(zhǎng)點(diǎn),走差異化路線:一是加強(qiáng)Mini/Micro LED、UV LED、VCSEL等新興市場(chǎng)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā),提升高i端產(chǎn)品的營(yíng)收占比;二是或?qū)⒅匦巨D(zhuǎn)至化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域,深化GaAs和GaN材料的研究和應(yīng)用。
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