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沈陽東創(chuàng)貴金屬材料有限公司
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采用連續(xù)式硫化法的情況下，不會有因切去加壓成形產(chǎn)生的毛邊或一般的擠壓處理和在硫化處理槽內(nèi)進行處理時橡膠管兩端翹起的部分而導致的橡膠浪費，另外能夠縮短制造時間和減少人工費用，因此能夠降低輥筒的制造成本，從這些方面考慮，此方法優(yōu)于間歇式硫化法。
此外，硫化處理后，由于對每個輥筒都進行了剪切，所以基本上不會出現(xiàn)上述差別，這樣就可緩解長度方向的電阻值的不均勻。
區(qū)域提純后的金屬鍺，貴金屬靶材工藝，其錠底表面上的電阻率為30～50歐姆 厘米時，貴金屬靶材加工，純度相當于8～9，可以滿足電子器件的要求。但對于雜質(zhì)濃度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探測器級超純鍺，貴金屬靶材價格，則尚須經(jīng)過特殊處理。
由于鍺中有少數(shù)雜質(zhì)如磷、鋁、硅、硼的分配系數(shù)接近于1或大于1，要加強化學提純方法除去這些雜質(zhì)，然后再進行區(qū)熔提純。電子級純的區(qū)熔鍺錠用霍爾效應測量雜質(zhì)（載流子）濃度，一般可達10～10原子/厘米。經(jīng)切頭去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直達到所要求的純度（10原子/厘米），這樣純度的鍺（相當于13）所作的探測器，其分辨率已接近于理論數(shù)值。
磁控濺射靶材種類：金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材，氮化物陶瓷濺射靶材，氧化物陶瓷靶材，吉林貴金屬靶材，硒化物陶瓷濺射靶材，硅化物陶瓷濺射靶材，硫化物陶瓷濺射靶材，碲化物陶瓷濺射靶材，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材（Cr-SiO），磷化銦靶材（InP），鉛靶材（PbAs），銦靶材（InAs）。
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第9年
