任何金屬都不能達(dá)到純?!俺儭本哂邢鄬Φ暮x,是指技術(shù)上達(dá)到的標(biāo)準(zhǔn)。
由于技術(shù)的發(fā)展,也常使 “超純”的標(biāo)準(zhǔn)升級。“超純”的相對名詞是指“雜質(zhì)”,廣義的雜質(zhì)是指化學(xué)雜質(zhì)(元素)及“物理雜質(zhì)”(晶體缺陷),后者是指位錯及空位等,貴金屬復(fù)合材料哪家好,而化學(xué)雜質(zhì)是指基體以外的原子以代位或填隙等形式摻入。
但只當(dāng)金屬純度達(dá)到很高的標(biāo)準(zhǔn)時(如純度9以上的金屬),貴金屬復(fù)合材料廠家,物理雜質(zhì)的概念才是有意義的,因此目前工業(yè)生產(chǎn)的金屬仍是以化學(xué)雜質(zhì)的含量作為標(biāo)準(zhǔn),即以金屬中雜質(zhì)總含量為百萬分之幾表示。
在所有應(yīng)用產(chǎn)業(yè)中,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出來.而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細(xì)晶粒,宿州貴金屬復(fù)合材料,這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。靶材的結(jié)晶粒子直徑和均勻性已被認(rèn)為是影響薄膜沉積率的關(guān)鍵因素。另外,貴金屬復(fù)合材料廠,薄膜的純度與靶材的純度關(guān)系極大,過99.995%(4N5)純度的銅靶,或許能夠滿足半導(dǎo)體廠商0.35pm工藝的需求,但是卻無法滿足如今0.25um的工藝要求。
在使用電子照相方法的打印技術(shù)中,已經(jīng)漸進實現(xiàn)高速打印操作、高質(zhì)量圖像形成、彩色像形成、以及成像裝置小型化,并且變得很普遍。色粉一直是這些改進的關(guān)鍵。為滿足上述需要,必須形成精細(xì)分配的色粉顆粒,使得色粉顆粒的直徑均一,并且使得色粉顆粒呈球形。至于形成精細(xì)分配的色粉顆粒的技術(shù),近已經(jīng)開發(fā)出直徑不超過10nm的色粉和不超過5pm的色粉。至于使色粉呈球形的技術(shù),已經(jīng)開發(fā)出球形度99%以上的色粉。
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