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主營：單片機,MOS,大電流mos
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MOS管失效的兩個主要原因：
電壓失效：即漏源間的BVdss電壓超過MOS管額定電壓，中低壓mos公司，達到一定容量，造成MOS管失效。
柵電壓故障：柵極遭受異常電壓尖峰，造成柵氧層故障。
雪崩破壞到底是什么？簡單地說，MOS管是由母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等與MOS管之間疊加而形成的故障模式。簡而言之，中低壓mos廠家，即MOS管漏源極的電壓超過了它規(guī)定的電壓值，并且達到了某一能量極限i時所產生的常見故障。
造成柵電壓異常高的主要原因有三個：生產、運輸和裝配過程中的靜電；設備和電路寄生參數(shù)在電力系統(tǒng)運行過程中產生高壓諧振；在高壓沖擊時，高壓通過Ggd傳輸?shù)诫娋W(雷擊測試時這種故障更為常見)。
公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發(fā)及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。
MOS管可以用作可變電阻也可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。且場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。場效應管可以方便地用作恒流源也可以用作電子開關。
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在開關電源應用方面，這種應用需要MOS管定期導通和關斷。比如，DC-DC電源中常用的基本降i壓轉換器依賴兩個MOS管來執(zhí)行開關功能，這些開關交替在電感里存儲能量，然后把能量釋放給負載。我們常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率，因為頻率越高，磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間，MOS管只相當于一個導體。因此，我們電路或者電源設計人員關心的是MOS的傳導損耗。
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第4年
