精鋁經(jīng)過區(qū)熔提純,只能達到5 的高純鋁,但如使用在有機物電解液中進行電解,可將鋁提純到99.9995%,并可除去有不利分配系數(shù)的雜質,然后進行區(qū)熔提純數(shù)次,就能達到接近于 7 的純度,雜質總含量<0.5ppm。這種超純鋁除用于制備化合物半導體材料外,還在低溫下有高的導電性能,可用于低溫電磁設備。
制備化合物半導體的金屬如銦、磷,可利用氯化物精餾氫還原、電解精煉、區(qū)熔及拉晶提純等方法制備超純金屬,總金屬雜質含量為 0.1~1ppm。其他金屬如銀、金、鎘、、鉑等也能達到≥6 的水平。
稀土金屬制取(preparation of rare earth metal),將稀土化合物還原成金屬的過程。還原所制得的稀土金屬產品含稀土95%~99%,純金靶材廠家,主要用作鋼鐵、有色金屬及其合金的添加劑,以及用作生產稀土永磁材料、貯氫材料等功能材料的原料。瑞典人穆桑德爾(C.G.Mosander)自1826年先制得金屬以來,現(xiàn)已能生產全部稀土金屬,產品純度達到99.9%。常用的方法有金屬熱還原法制取稀土金屬和熔鹽電解法制取稀土金屬 。
區(qū)域提純后的金屬鍺,純金靶材生產加工,其錠底表面上的電阻率為30~50歐姆 厘米時,純金靶材技術,純度相當于8~9,可以滿足電子器件的要求。但對于雜質濃度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探測器級超純鍺,則尚須經(jīng)過特殊處理。
由于鍺中有少數(shù)雜質如磷、鋁、硅、硼的分配系數(shù)接近于1或大于1,合肥純金靶材,要加強化學提純方法除去這些雜質,然后再進行區(qū)熔提純。電子級純的區(qū)熔鍺錠用霍爾效應測量雜質(載流子)濃度,一般可達10~10原子/厘米。經(jīng)切頭去尾,再利用多次拉晶和切割尾,一直達到所要求的純度(10原子/厘米),這樣純度的鍺(相當于13)所作的探測器,其分辨率已接近于理論數(shù)值。
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